О сайте Группа в контакте RSS Годограф Volksturm Импульсные металлоискатели IB металлоискатели Пинпоинтеры Другие схемы Заказать Конструкции металлоискателей Полезные ссылки

Схемы металлоискателей MD4U

Сборка, настройка, обсуждение, теория и практика построения металлоискателей.
Текущее время: Пн: 19 ноя 2018 8:53

Часовой пояс: UTC + 3 часа




Начать новую тему Ответить на тему
 [ Сообщений: 38 ]  На страницу 1, 2  След.
Автор Сообщение
 Заголовок сообщения: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Сб: 10 ноя 2018 4:17 
Не в сети

Зарегистрирован: Чт: 10 ноя 2016 2:45
Сообщения: 35
использование транзистора C2M1000170D
максимальное напряжение сток исток 1700В
ток стока 4,9А
емкость сток исток 12пФ

В качестве ключа для импульсного металодетектора.

Цель добиться обнаружения объектов меньшего размера
https://youtu.be/boftKH3QxzQ


У вас нет необходимых прав для просмотра вложений в этом сообщении.


Последний раз редактировалось ffilin Вс: 11 ноя 2018 23:44, всего редактировалось 3 раз(а).

Вернуться к началу
 Профиль  
 


Вы можете отключить эти сообщения.
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Сб: 10 ноя 2018 9:00 
Не в сети
Аватара пользователя

Зарегистрирован: Сб: 16 апр 2011 20:01
Сообщения: 1223
Ерунда это. Для мелких целей делают чуть иначе, не импульс мощнее нужен, а фиксировать отклик раньше нужно. Для этого целая куча мер нужна, начиная с катушки.


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Сб: 10 ноя 2018 15:44 
Не в сети

Зарегистрирован: Пт: 04 фев 2011 11:32
Сообщения: 298
Откуда: Stalingrad
Для мелких целей еще и катушка нужна с очень низкой емкостью, чтобы
работать на маленькой задержке. А там помимо целей еще и грунт полезет.
Его тоже придется как-то вычитать.

_________________
[Clone PI AVR -> Delta Pulse ] , [ Fisher 1266 -> Quasar ARM]


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Сб: 10 ноя 2018 16:10 
Не в сети

Зарегистрирован: Чт: 10 ноя 2016 2:45
Сообщения: 35
Импульс останется той же мощности просто ток будет быстрее спадать t=L/R
если увеличить R то выростет и напряжение. индуктивность катушки шунтирующее сопротивление.

На этом сопротивленни поглащается внутренняя энергия катушки и напряжение выброса зависит от тока и сопротивления U=IR где ток катоушки шутнирующее сопротивление.

Таким образом можно уменьшать индуктивность или увеличивать сопротивление и вых напряжение, для уменьшения "мёртвого" времени.


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Сб: 10 ноя 2018 18:55 
Не в сети

Зарегистрирован: Пт: 04 фев 2011 11:32
Сообщения: 298
Откуда: Stalingrad
При увеличении R демпфера больше критического
вырастет не только напряжение выброса, но и длительность звона, то есть опять же увеличится "мертвое время".
И в итоге упадет чутьё к мелким целям.
Переходные процессы в самой катушке никуда не денутся, как быстро не выключай.

В некоторых PI приборах специально сделан медленный спад тока, и там вообще нет высоковольтных выбросов.

_________________
[Clone PI AVR -> Delta Pulse ] , [ Fisher 1266 -> Quasar ARM]


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Сб: 10 ноя 2018 21:17 
Не в сети

Зарегистрирован: Вс: 23 май 2010 10:48
Сообщения: 2338
...До чего же я невезучий,- приехал с копа в размышлениях.
(..."АТ про" легко уделывает "Сигнум" на "мусорке". Уделывает, как мёртвого!)
ffilin писал(а):
Таким образом можно уменьшать индуктивность или увеличивать сопротивление и вых напряжение, для уменьшения "мёртвого" времени.
ЭДС обратного хода ( ОХ ) протекает в два этапа : 1 - разряд L на С паразитное примерно за четверть периода LC-колебания; 2- спад напряжения с амплитудного до нуля в виде апериодического процесса LCR.
ffilin писал(а):
Цель добиться обнаружения объектов меньшего размера
Уменьшение времени ОХ ещё и увеличивает чутьё ко всем предметам, а не только к маленьким.
ffilin писал(а):
емкость сток исток 12пФ
Ёмкость датчика обычно более 30-50пФ; а ёмкость кабеля обычно порядка 100пФ/метр. И все эти ёмкости будут паразитными в процессе. На эту ёмкость "разрядится" индуктивность L.

_________________
Time To Say Goodbye : https://www.youtube.com/watch?v=yTgWh96iYfU


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Сб: 10 ноя 2018 21:22 
Не в сети

Зарегистрирован: Вс: 23 май 2010 10:48
Сообщения: 2338
Oberst писал(а):
...В некоторых PI приборах специально сделан медленный спад тока, и там вообще нет высоковольтных выбросов.

Можно, пожалуйста, примеры таких приборов, а то я таких пока не видел. :(

_________________
Time To Say Goodbye : https://www.youtube.com/watch?v=yTgWh96iYfU


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Сб: 10 ноя 2018 21:45 
Не в сети

Зарегистрирован: Пт: 04 фев 2011 11:32
Сообщения: 298
Откуда: Stalingrad
В ИМБ и Анкер-Пульсе именно так, нет резкого спада тока и нет выбросов.

_________________
[Clone PI AVR -> Delta Pulse ] , [ Fisher 1266 -> Quasar ARM]


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Сб: 10 ноя 2018 21:51 
Не в сети

Зарегистрирован: Вс: 23 май 2010 10:48
Сообщения: 2338
ИМБ где-то, вроде, валялась схема ( но там же, вроде тиристорный передатчик - или путаю...), а вот "Анкер-пульс разве схема доступна в сети ?!

_________________
Time To Say Goodbye : https://www.youtube.com/watch?v=yTgWh96iYfU


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Сб: 10 ноя 2018 21:54 
Не в сети

Зарегистрирован: Вс: 23 май 2010 10:48
Сообщения: 2338
...Вроде и "Анкер-пульс" делался по ТХ по аналогии тиристорного передатчика. У последних, если ТХ сделана из дросселя по питанию, то ОХ будет ограничен LC-цепью, которая запирает тиристоры ( для КУ 202, например, около 70-100мкс можно сделать ).
Это так - мысли вслух. :)

_________________
Time To Say Goodbye : https://www.youtube.com/watch?v=yTgWh96iYfU


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Сб: 10 ноя 2018 21:57 
Не в сети

Зарегистрирован: Пт: 04 фев 2011 11:32
Сообщения: 298
Откуда: Stalingrad
Да, схема Анкер-Пульса недоступна, но сам автор помню говорил про форму тока в передающей катушке.
Там такие же биполярные полуволны как в ИМБ. А у того судя по схеме полумост и последовательный LC контур.

_________________
[Clone PI AVR -> Delta Pulse ] , [ Fisher 1266 -> Quasar ARM]


Вернуться к началу
 Профиль  
 
В сети

Вы можете отключить эти сообщения.
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Сб: 10 ноя 2018 22:03 
Не в сети

Зарегистрирован: Вс: 23 май 2010 10:48
Сообщения: 2338
Спасибо за пояснения.
Кстати, схема с таким сигналом Тх может пригодится для изучения в теме 2-х частотников. ( тиристорный генератор в многочастотном МД - это шок ! :shock: :D )

_________________
Time To Say Goodbye : https://www.youtube.com/watch?v=yTgWh96iYfU


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Вс: 11 ноя 2018 6:43 
Не в сети

Зарегистрирован: Чт: 10 ноя 2016 2:45
Сообщения: 35
Вадим в курсе что процессы гораздо сложнее.
[url]
http://www.math24.ru/%D0%BA%D0%BE%D0%BB ... D1%85.html[/url]
в том числе паразитные характеристики катушки,
скин эффект, токи фуко, межвитковая емкость...

тем не менее при определённой минимальной емкости можно добиться апереодического процесса затухания, который не возможно получить на кремнии, т.к. у кремния вых емкость сотни пФ.
Изображение

http://koi.tspu.ru/waves/ch2_3.htm
http://coil32.ru/series-contour.html


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Вс: 11 ноя 2018 15:49 
Не в сети

Зарегистрирован: Вс: 23 май 2010 10:48
Сообщения: 2338
Конечно, процесс сложнее, но нам оно не так важно для инженерных оценок. Главное тут - понимать, что есть колебания LC-цепи и второй процесс - потери на резисторе. Потери на резисторе напряжения, ясное дело, не добавят. А вот амплитуда колебаний напряжения на конденсаторе ( о котором в данной теме ведётся речь) не может быть выше, чем в колебательном LC-процессе, и будет меньше него.
Из такого понимания ясен и спектр частот, которые имеет смысл учитывать,- например, для оценки скин-эффекта того же, или на потери излучением :) .

_________________
Time To Say Goodbye : https://www.youtube.com/watch?v=yTgWh96iYfU


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Вс: 11 ноя 2018 16:07 
Не в сети

Зарегистрирован: Вс: 23 май 2010 10:48
Сообщения: 2338
Кстати, можете сами провести оценочный расчёт : какими должны быть индуктивность и амплитуда тока в катушке, чтобы амплитуда напряжения на паразитной ёмкости превысила 1700 Вольт, к примеру. По предложенной схеме это сделать легко.

_________________
Time To Say Goodbye : https://www.youtube.com/watch?v=yTgWh96iYfU


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Вс: 11 ноя 2018 20:02 
Не в сети

Зарегистрирован: Чт: 10 ноя 2016 2:45
Сообщения: 35
Вадим писал(а):
Кстати, можете сами провести оценочный расчёт : какими должны быть индуктивность и амплитуда тока в катушке, чтобы амплитуда напряжения на паразитной ёмкости превысила 1700 Вольт, к примеру. По предложенной схеме это сделать легко.

Если совсем без резистора, то через энергию, энергия катушки ток в квадрате на индуктивность по полам.

энергия конденсатора напряжение в квадрате на емкость пополам.

Подставляем получаем. Но у нас есть сопротивление по этому напряжение будет меньше или равно U=IR где I максимальный ток в момент разрыва тока, R шунтирующее катушку сопротивление. То есть ток замкнётся через шунтирующее сопротивление и будет спадать по определённому закону. Если С=0 то это будет экспонента с постоянной времени t=L/R.
Если С не равно 0 то эта экспонента , будет заполнена частотой колебательного LC контура.

Что это такая проверка знаний закона ома?


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Вс: 11 ноя 2018 20:08 
Не в сети

Зарегистрирован: Вт: 10 фев 2015 19:38
Сообщения: 11
Вадим писал(а):
...До чего же я невезучий,- приехал с копа в размышлениях.

ffilin писал(а):
емкость сток исток 12пФ
Ёмкость датчика обычно более 30-50пФ; а ёмкость кабеля обычно порядка 100пФ/метр. И все эти ёмкости будут паразитными в процессе. На эту ёмкость "разрядится" индуктивность L.


Напрашивается решение - ключевой транзистор располагать прямо в датчике. Как вам такое решение проблемы емкости кабеля?


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Вс: 11 ноя 2018 21:20 
Не в сети

Зарегистрирован: Вс: 23 май 2010 10:48
Сообщения: 2338
Ну, так я лично давно так и делал на пляжниках и даже в глубинниках. И советовал на форуме так делать всем, кто спрашивал. Только не в самом датчике - а как можно ближе.

_________________
Time To Say Goodbye : https://www.youtube.com/watch?v=yTgWh96iYfU


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Вс: 11 ноя 2018 21:27 
Не в сети

Зарегистрирован: Вс: 23 май 2010 10:48
Сообщения: 2338
ffilin писал(а):
Вадим писал(а):
Кстати, можете сами провести оценочный расчёт : какими должны быть индуктивность и амплитуда тока в катушке, чтобы амплитуда напряжения на паразитной ёмкости превысила 1700 Вольт, к примеру. По предложенной схеме это сделать легко.

Если совсем без резистора, то через энергию, энергия катушки ток в квадрате на индуктивность по полам.
...
Что это такая проверка знаний закона ома?

Да, это проверка,- делать мне больше нечего, как тратить своё время на проверки. :lol: Вообще, вы должны цифру озвучить вместо размышлений. Оценка паразитной ёмкости вам дана.

_________________
Time To Say Goodbye : https://www.youtube.com/watch?v=yTgWh96iYfU


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Вс: 11 ноя 2018 22:47 
Не в сети

Зарегистрирован: Чт: 10 ноя 2016 2:45
Сообщения: 35
R=400 ом
L=200 мкГн
C=250 pF

Считаем для параллельного контура
собственная частота F= 43мгц добротность Q=0,5


У вас нет необходимых прав для просмотра вложений в этом сообщении.


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Вс: 11 ноя 2018 23:04 
Не в сети

Зарегистрирован: Вс: 23 май 2010 10:48
Сообщения: 2338
Зачем вам что-либо здесь писать, если вы общаетесь сами с собой ?
К чему эти цифры и рисунки? Зачем уводить тему в сторону ?
По теме : почему на практике не наблюдается такое же напряжение, как по оценочным расчётам ?

_________________
Time To Say Goodbye : https://www.youtube.com/watch?v=yTgWh96iYfU


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Вс: 11 ноя 2018 23:36 
Не в сети

Зарегистрирован: Чт: 10 ноя 2016 2:45
Сообщения: 35
Вадим писал(а):
Зачем вам что-либо здесь писать, если вы общаетесь сами с собой ?

Вы задали вопрос постарался ответить.

Вадим писал(а):
К чему эти цифры и рисунки? Зачем уводить тему в сторону ?

Цифры взяты для примера. Тему в сторону ни кто не уводит. Это вы придумываете глупые проверки.

Вадим писал(а):
По теме : почему на практике не наблюдается такое же напряжение, как по оценочным расчётам ?


Возможно, потому что у вас кремневый транзистор типа IRF740, его выходная емкость в десятки раз выше, плюс эффект Миллера и переходной процесс дольше.
Возможно, потому что у вас большая межвидовая паразитная емкость.

От куда мне знать...


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Вс: 11 ноя 2018 23:54 
Не в сети

Зарегистрирован: Вс: 23 май 2010 10:48
Сообщения: 2338
Никаких проверок тут нет,- это никому не нужно.
Откуда у вас 43 МГц взялось,- это выглядит ошибкой.
Далее, вы же сами дали ссылку на соотношение L, C, R, чтобы процесс был апериодическим. В уме посчитал R - порядка 1700 Ом, вы же пишете 400 Ом,- зачем?
Зачем рисунки, на них нет нашего "критического" процесса спада напруги. Зачем нам добротность?
... Обычно при L=400мкГн и токе 1-4 А, на катушке никак не получается напряжение более 400В. Это большое расхождение с расчётом, значит есть и другие потери. Поэтому использовать транзистор более 1000 В нет необходимости.
Как вы контролируете амплитуду ОХ ?

_________________
Time To Say Goodbye : https://www.youtube.com/watch?v=yTgWh96iYfU


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Пн: 12 ноя 2018 0:44 
Не в сети

Зарегистрирован: Вс: 23 май 2010 10:48
Сообщения: 2338
...Я даже могу добавить, снова немного опережая: динамические потери, при управлении индуктивной нагрузкой, зависят не от абсолютных параметров применённого транзистора, а от технологии его изготовления, т.е. от некоторого обобщённого параметра, включающего сопротивление канала, ёмкость, время выключения и пр.. А уже время спада в МД тоже зависит от обобщённого параметра, включая и динамические потери транзистора. А кроме того, есть ещё обобщённый параметр - чувствительность тракта, которая учитывает, кроме всех перечисленных, и шунтирующее действие на полезный принимаемый сигнал того самого резистора, который гасит "звон" ТХ ...

_________________
Time To Say Goodbye : https://www.youtube.com/watch?v=yTgWh96iYfU


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
СообщениеДобавлено: Пн: 12 ноя 2018 1:26 
Не в сети

Зарегистрирован: Пт: 04 фев 2011 11:32
Сообщения: 298
Откуда: Stalingrad
Вадим писал(а):
тиристорный генератор в многочастотном МД - это шок ! :shock: :D

Наверняка тоже самое можно получить и без тиристоров (соотв. без трансформаторов, которые им по хорошему нужны)
Главное чтобы ключ закрывался после перехода тока через ноль.
В идеале точно в момент перехода, тогда амплитуда "звона" будет стремится к нулю.
Если сделать 2 частоты без выбросов то уже появятся возможности как минимум для вычитания грунта.
Также возможна селекция по толщине/размеру предмета.
Например длинная полуволна игнорирует консервные банки (ИМБ даже большую тушенку не видит :D), не говоря уже о грунте. При этом отлично"раскачивает" толстое железо и алюминий. Маленький молоток отлично видит а большую банку нет.
И наоборот, на коротких полуволнах должны хорошо браться тонкостенные мишени, а толстостенные послабее.

Все вышеперечисленное не отменяет того что катушка должна быть критически задемпфирована.
Просто такой подход позволяет заметно увеличить номинал того резистора, и соотв. КПД тоже.

_________________
[Clone PI AVR -> Delta Pulse ] , [ Fisher 1266 -> Quasar ARM]


Вернуться к началу
 Профиль  
 
Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 38 ]  На страницу 1, 2  След.

Часовой пояс: UTC + 3 часа


Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 3


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Найти:
Перейти: