Схемы металлоискателей MD4U http://md4u.ru/ |
|
Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi http://md4u.ru/viewtopic.php?f=8&t=11190 |
Страница 1 из 2 |
Автор: | ffilin [ Сб: 10 ноя 2018 4:17 ] |
Заголовок сообщения: | Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
использование транзистора C2M1000170D максимальное напряжение сток исток 1700В ток стока 4,9А емкость сток исток 12пФ В качестве ключа для импульсного металодетектора. Цель добиться обнаружения объектов меньшего размера https://youtu.be/boftKH3QxzQ |
Автор: | syava7 [ Сб: 10 ноя 2018 9:00 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
Ерунда это. Для мелких целей делают чуть иначе, не импульс мощнее нужен, а фиксировать отклик раньше нужно. Для этого целая куча мер нужна, начиная с катушки. |
Автор: | Oberst [ Сб: 10 ноя 2018 15:44 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
Для мелких целей еще и катушка нужна с очень низкой емкостью, чтобы работать на маленькой задержке. А там помимо целей еще и грунт полезет. Его тоже придется как-то вычитать. |
Автор: | ffilin [ Сб: 10 ноя 2018 16:10 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
Импульс останется той же мощности просто ток будет быстрее спадать t=L/R если увеличить R то выростет и напряжение. индуктивность катушки шунтирующее сопротивление. На этом сопротивленни поглащается внутренняя энергия катушки и напряжение выброса зависит от тока и сопротивления U=IR где ток катоушки шутнирующее сопротивление. Таким образом можно уменьшать индуктивность или увеличивать сопротивление и вых напряжение, для уменьшения "мёртвого" времени. |
Автор: | Oberst [ Сб: 10 ноя 2018 18:55 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
При увеличении R демпфера больше критического вырастет не только напряжение выброса, но и длительность звона, то есть опять же увеличится "мертвое время". И в итоге упадет чутьё к мелким целям. Переходные процессы в самой катушке никуда не денутся, как быстро не выключай. В некоторых PI приборах специально сделан медленный спад тока, и там вообще нет высоковольтных выбросов. |
Автор: | Вадим [ Сб: 10 ноя 2018 21:17 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
...До чего же я невезучий,- приехал с копа в размышлениях. (..."АТ про" легко уделывает "Сигнум" на "мусорке". Уделывает, как мёртвого!) ffilin писал(а): Таким образом можно уменьшать индуктивность или увеличивать сопротивление и вых напряжение, для уменьшения "мёртвого" времени. ЭДС обратного хода ( ОХ ) протекает в два этапа : 1 - разряд L на С паразитное примерно за четверть периода LC-колебания; 2- спад напряжения с амплитудного до нуля в виде апериодического процесса LCR.ffilin писал(а): Цель добиться обнаружения объектов меньшего размера Уменьшение времени ОХ ещё и увеличивает чутьё ко всем предметам, а не только к маленьким. ffilin писал(а): емкость сток исток 12пФ Ёмкость датчика обычно более 30-50пФ; а ёмкость кабеля обычно порядка 100пФ/метр. И все эти ёмкости будут паразитными в процессе. На эту ёмкость "разрядится" индуктивность L.
|
Автор: | Вадим [ Сб: 10 ноя 2018 21:22 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
Oberst писал(а): ...В некоторых PI приборах специально сделан медленный спад тока, и там вообще нет высоковольтных выбросов. Можно, пожалуйста, примеры таких приборов, а то я таких пока не видел. |
Автор: | Oberst [ Сб: 10 ноя 2018 21:45 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
В ИМБ и Анкер-Пульсе именно так, нет резкого спада тока и нет выбросов. |
Автор: | Вадим [ Сб: 10 ноя 2018 21:51 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
ИМБ где-то, вроде, валялась схема ( но там же, вроде тиристорный передатчик - или путаю...), а вот "Анкер-пульс разве схема доступна в сети ?! |
Автор: | Вадим [ Сб: 10 ноя 2018 21:54 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
...Вроде и "Анкер-пульс" делался по ТХ по аналогии тиристорного передатчика. У последних, если ТХ сделана из дросселя по питанию, то ОХ будет ограничен LC-цепью, которая запирает тиристоры ( для КУ 202, например, около 70-100мкс можно сделать ). Это так - мысли вслух. |
Автор: | Oberst [ Сб: 10 ноя 2018 21:57 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
Да, схема Анкер-Пульса недоступна, но сам автор помню говорил про форму тока в передающей катушке. Там такие же биполярные полуволны как в ИМБ. А у того судя по схеме полумост и последовательный LC контур. |
Автор: | Вадим [ Сб: 10 ноя 2018 22:03 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
Спасибо за пояснения. Кстати, схема с таким сигналом Тх может пригодится для изучения в теме 2-х частотников. ( тиристорный генератор в многочастотном МД - это шок ! ) |
Автор: | ffilin [ Вс: 11 ноя 2018 6:43 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
Вадим в курсе что процессы гораздо сложнее. [url] http://www.math24.ru/%D0%BA%D0%BE%D0%BB ... D1%85.html[/url] в том числе паразитные характеристики катушки, скин эффект, токи фуко, межвитковая емкость... тем не менее при определённой минимальной емкости можно добиться апереодического процесса затухания, который не возможно получить на кремнии, т.к. у кремния вых емкость сотни пФ. http://koi.tspu.ru/waves/ch2_3.htm http://coil32.ru/series-contour.html |
Автор: | Вадим [ Вс: 11 ноя 2018 15:49 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
Конечно, процесс сложнее, но нам оно не так важно для инженерных оценок. Главное тут - понимать, что есть колебания LC-цепи и второй процесс - потери на резисторе. Потери на резисторе напряжения, ясное дело, не добавят. А вот амплитуда колебаний напряжения на конденсаторе ( о котором в данной теме ведётся речь) не может быть выше, чем в колебательном LC-процессе, и будет меньше него. Из такого понимания ясен и спектр частот, которые имеет смысл учитывать,- например, для оценки скин-эффекта того же, или на потери излучением . |
Автор: | Вадим [ Вс: 11 ноя 2018 16:07 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
Кстати, можете сами провести оценочный расчёт : какими должны быть индуктивность и амплитуда тока в катушке, чтобы амплитуда напряжения на паразитной ёмкости превысила 1700 Вольт, к примеру. По предложенной схеме это сделать легко. |
Автор: | ffilin [ Вс: 11 ноя 2018 20:02 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
Вадим писал(а): Кстати, можете сами провести оценочный расчёт : какими должны быть индуктивность и амплитуда тока в катушке, чтобы амплитуда напряжения на паразитной ёмкости превысила 1700 Вольт, к примеру. По предложенной схеме это сделать легко. Если совсем без резистора, то через энергию, энергия катушки ток в квадрате на индуктивность по полам. энергия конденсатора напряжение в квадрате на емкость пополам. Подставляем получаем. Но у нас есть сопротивление по этому напряжение будет меньше или равно U=IR где I максимальный ток в момент разрыва тока, R шунтирующее катушку сопротивление. То есть ток замкнётся через шунтирующее сопротивление и будет спадать по определённому закону. Если С=0 то это будет экспонента с постоянной времени t=L/R. Если С не равно 0 то эта экспонента , будет заполнена частотой колебательного LC контура. Что это такая проверка знаний закона ома? |
Автор: | alex---1967 [ Вс: 11 ноя 2018 20:08 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
Вадим писал(а): ...До чего же я невезучий,- приехал с копа в размышлениях. ffilin писал(а): емкость сток исток 12пФ Ёмкость датчика обычно более 30-50пФ; а ёмкость кабеля обычно порядка 100пФ/метр. И все эти ёмкости будут паразитными в процессе. На эту ёмкость "разрядится" индуктивность L.Напрашивается решение - ключевой транзистор располагать прямо в датчике. Как вам такое решение проблемы емкости кабеля? |
Автор: | Вадим [ Вс: 11 ноя 2018 21:20 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
Ну, так я лично давно так и делал на пляжниках и даже в глубинниках. И советовал на форуме так делать всем, кто спрашивал. Только не в самом датчике - а как можно ближе. |
Автор: | Вадим [ Вс: 11 ноя 2018 21:27 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
ffilin писал(а): Вадим писал(а): Кстати, можете сами провести оценочный расчёт : какими должны быть индуктивность и амплитуда тока в катушке, чтобы амплитуда напряжения на паразитной ёмкости превысила 1700 Вольт, к примеру. По предложенной схеме это сделать легко. Если совсем без резистора, то через энергию, энергия катушки ток в квадрате на индуктивность по полам. ... Что это такая проверка знаний закона ома? Да, это проверка,- делать мне больше нечего, как тратить своё время на проверки. Вообще, вы должны цифру озвучить вместо размышлений. Оценка паразитной ёмкости вам дана. |
Автор: | ffilin [ Вс: 11 ноя 2018 22:47 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
R=400 ом L=200 мкГн C=250 pF Считаем для параллельного контура собственная частота F= 43мгц добротность Q=0,5 |
Автор: | Вадим [ Вс: 11 ноя 2018 23:04 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
Зачем вам что-либо здесь писать, если вы общаетесь сами с собой ? К чему эти цифры и рисунки? Зачем уводить тему в сторону ? По теме : почему на практике не наблюдается такое же напряжение, как по оценочным расчётам ? |
Автор: | ffilin [ Вс: 11 ноя 2018 23:36 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
Вадим писал(а): Зачем вам что-либо здесь писать, если вы общаетесь сами с собой ? Вы задали вопрос постарался ответить. Вадим писал(а): К чему эти цифры и рисунки? Зачем уводить тему в сторону ? Цифры взяты для примера. Тему в сторону ни кто не уводит. Это вы придумываете глупые проверки. Вадим писал(а): По теме : почему на практике не наблюдается такое же напряжение, как по оценочным расчётам ? Возможно, потому что у вас кремневый транзистор типа IRF740, его выходная емкость в десятки раз выше, плюс эффект Миллера и переходной процесс дольше. Возможно, потому что у вас большая межвидовая паразитная емкость. От куда мне знать... |
Автор: | Вадим [ Вс: 11 ноя 2018 23:54 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
Никаких проверок тут нет,- это никому не нужно. Откуда у вас 43 МГц взялось,- это выглядит ошибкой. Далее, вы же сами дали ссылку на соотношение L, C, R, чтобы процесс был апериодическим. В уме посчитал R - порядка 1700 Ом, вы же пишете 400 Ом,- зачем? Зачем рисунки, на них нет нашего "критического" процесса спада напруги. Зачем нам добротность? ... Обычно при L=400мкГн и токе 1-4 А, на катушке никак не получается напряжение более 400В. Это большое расхождение с расчётом, значит есть и другие потери. Поэтому использовать транзистор более 1000 В нет необходимости. Как вы контролируете амплитуду ОХ ? |
Автор: | Вадим [ Пн: 12 ноя 2018 0:44 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
...Я даже могу добавить, снова немного опережая: динамические потери, при управлении индуктивной нагрузкой, зависят не от абсолютных параметров применённого транзистора, а от технологии его изготовления, т.е. от некоторого обобщённого параметра, включающего сопротивление канала, ёмкость, время выключения и пр.. А уже время спада в МД тоже зависит от обобщённого параметра, включая и динамические потери транзистора. А кроме того, есть ещё обобщённый параметр - чувствительность тракта, которая учитывает, кроме всех перечисленных, и шунтирующее действие на полезный принимаемый сигнал того самого резистора, который гасит "звон" ТХ ... |
Автор: | Oberst [ Пн: 12 ноя 2018 1:26 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi |
Вадим писал(а): тиристорный генератор в многочастотном МД - это шок ! Наверняка тоже самое можно получить и без тиристоров (соотв. без трансформаторов, которые им по хорошему нужны) Главное чтобы ключ закрывался после перехода тока через ноль. В идеале точно в момент перехода, тогда амплитуда "звона" будет стремится к нулю. Если сделать 2 частоты без выбросов то уже появятся возможности как минимум для вычитания грунта. Также возможна селекция по толщине/размеру предмета. Например длинная полуволна игнорирует консервные банки (ИМБ даже большую тушенку не видит ), не говоря уже о грунте. При этом отлично"раскачивает" толстое железо и алюминий. Маленький молоток отлично видит а большую банку нет. И наоборот, на коротких полуволнах должны хорошо браться тонкостенные мишени, а толстостенные послабее. Все вышеперечисленное не отменяет того что катушка должна быть критически задемпфирована. Просто такой подход позволяет заметно увеличить номинал того резистора, и соотв. КПД тоже. |
Страница 1 из 2 | Часовой пояс: UTC + 3 часа |
Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group http://www.phpbb.com/ |