Схемы металлоискателей MD4U
http://md4u.ru/

Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
http://md4u.ru/viewtopic.php?f=8&t=11190		 Страница 2 из 2
Автор:  ffilin [ Пн: 12 ноя 2018 1:56 ]
Заголовок сообщения:  Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
Вадим писал(а):
Никаких проверок тут нет,- это никому не нужно.
Откуда у вас 43 МГц взялось,- это выглядит ошибкой.


по формуле Томсона
Изображение

Вадим писал(а):
В уме посчитал R - порядка 1700 Ом, вы же пишете 400 Ом,- зачем?


1700 ом это для тока менее ампера
U=IR --> R=U/I U=1700 I=4, значит R не более 450ом я взял 400.

Вадим писал(а):
Зачем рисунки, на них нет нашего "критического" процесса спада напруги. Зачем нам добротность?


В колебательном контуре где добротность менее 1, процесс апериодический.
как таковых колебаний в нём нет. что мы и видим на рисунке.
Автор:  Вадим [ Пн: 12 ноя 2018 12:12 ]
Заголовок сообщения:  Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
Oberst писал(а):
Вадим писал(а):
тиристорный генератор в многочастотном МД - это шок ! :shock: :D

Наверняка тоже самое можно получить и без тиристоров (соотв. без трансформаторов, которые им по хорошему нужны)
Главное чтобы ключ закрывался после перехода тока через ноль.
В идеале точно в момент перехода, тогда амплитуда "звона" будет стремится к нулю.
Если сделать 2 частоты без выбросов то уже появятся возможности как минимум для вычитания грунта.
Также возможна селекция по толщине/размеру предмета....
Все вышеперечисленное не отменяет того что катушка должна быть критически задемпфирована.
Просто такой подход позволяет заметно увеличить номинал того резистора, и соотв. КПД тоже.

Ну, если сделать тему и будет интерес, то может быть и схемы появятся и анализ работы проведём поглубже. Конечно, и на транзисторах такую коммутацию делают - это типа, резонансные инверторы. На тиристорах демпфирование не применяют, там энергия переходит между низкочастотной цепью и высокочастотной туда-сюда в апериодическом процессе с внешним запуском. На транзисторах можно больше вариантов сигнала ТХ сделать, но это уже нужно по ходу основной мысли обсуждать.
Автор:  Вадим [ Пн: 12 ноя 2018 12:16 ]
Заголовок сообщения:  Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
ffilin писал(а):
Вадим писал(а):
Никаких проверок тут нет,- это никому не нужно.
Откуда у вас 43 МГц взялось,- это выглядит ошибкой.


по формуле Томсона...

В колебательном контуре где добротность менее 1, процесс апериодический.
как таковых колебаний в нём нет. что мы и видим на рисунке.

Мне кажется, что вам нужно внимательнее пересчитать все формулы и ваши ссылки на предыдущей странице, чтобы не допускать ошибок в будущем.
Автор:  kompir [ Пн: 12 ноя 2018 19:23 ]
Заголовок сообщения:  Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
Генератор моего прибора.Все работает и в симуляторе и в железе
Автор:  Вадим [ Пн: 12 ноя 2018 20:27 ]
Заголовок сообщения:  Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
Ну, вот - уже варианты есть рабочие. :) Значит практика и интерес к теме уже есть - темы нет. :)
Автор:  Oberst [ Пн: 12 ноя 2018 21:01 ]
Заголовок сообщения:  Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
Наверно нужно посты по биполярному генератору перенести в подходящую тему.
А так да, схема работает и реализация может быть разная.
Комбинацию полевиков и тиристоров такую вижу первый раз)

Сам недавно тоже пробовал похожую схему, выбросов после импульса почти нет,
и демпферный резистор подобрался 7.2 КОм. Длина импульса 1 мс.
Автор:  syava7 [ Пн: 12 ноя 2018 21:44 ]
Заголовок сообщения:  Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
В начале темы написано:
Цитата:
Цель добиться обнаружения объектов меньшего размера

Как этого добиться, импульсами длительностью 1 мс, еще и полусинусом? Ток в мелкой цели, затухнет раньше, чем закончится импульс, такие решения применяют только в глубинных вариантах, для мелкотни не подходит.
Автор:  Oberst [ Пн: 12 ноя 2018 22:16 ]
Заголовок сообщения:  Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
Можно сделать длину импульса например 50 мкс. На картинке ток через резистор 0.1 Ом, катушка диаметром 38 см.
А 1 мс это конкретно у меня для глубинника.
Анкер например писал что минимальный предмет найденный его прибором - серебряный фалар.
При том что у него 3 мс длина полуволны. Так что не все так плохо с этим полусинусом.
Автор:  syava7 [ Вт: 13 ноя 2018 23:45 ]
Заголовок сообщения:  Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
Я не говорил, что совсем не будет видеть, но это как из пушки по воробьям... И фалары разные бывают, по памяти, до 30 см диаметром, а это уже не совсем мелкая цель. Так что, нужно определиться с размерами искомых целей и от этого плясать со всем остальным. Я не большой специалист в импульсниках, но как то была необходимость, то провел кучу экспериментов в этом направлении.
Автор:  ffilin [ Ср: 14 ноя 2018 3:02 ]
Заголовок сообщения:  Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
вот что пока получилось
верхний луч напряжение на катушке
нижний ток(сопротивление 1 Ом)
сопротивление шунтирующего резистора 8х51ом = 408ом
частота 500гц длительность импульса 50мкс

https://www.youtube.com/watch?v=smZ2R78UCRE
Автор:  Вадим [ Ср: 14 ноя 2018 3:50 ]
Заголовок сообщения:  Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
Мне кажется, что вам нужно сделать схему для экспериментов на обычных полевиках или биполярниках ( без разницы) и довести до ума тот эффект, который вы уже обнаружили ! Вы получите по результату прибор, который многие мечтают получить последние лет 50 ! Только желательно без всяких там "Ардуино", потому что людям нужен работающий прибор, а не цветомузыка с плохими поисковыми параметрами.
Автор:  syava7 [ Ср: 14 ноя 2018 11:16 ]
Заголовок сообщения:  Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
Вадим писал(а):
и довести до ума тот эффект, который вы уже обнаружили ! Вы получите по результату прибор, который многие мечтают получить последние лет 50 !

Что это за эффект такой секретный, который ни кто не замечал, и благодаря которому можно сделать прибор, о котором 50 лет мечтали? :)
Автор:  Вадим [ Ср: 14 ноя 2018 17:06 ]
Заголовок сообщения:  Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
Ну, как бы уже не секретный,- изменение амплитуды импульса О.Х. от магнитности помещённой в катушку среды. У меня лично не хватает ума, чтобы сделать из этого простую, но качественную схему ( а сложную лень делать ).
Автор:  alex---1967 [ Вт: 20 ноя 2018 21:29 ]
Заголовок сообщения:  Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
Вадим писал(а):
Кстати, можете сами провести оценочный расчёт : какими должны быть индуктивность и амплитуда тока в катушке, чтобы амплитуда напряжения на паразитной ёмкости превысила 1700 Вольт, к примеру. По предложенной схеме это сделать легко.


Попробую я прикинуть..
Для транзистора C2M1000170D:
Считаем, что накопленная энергия в катушке I*I*L/2 расходуется на заряд конденсатора
( межвитковая емкость катушки 30pF + емкость кабеля 100 pF + емкость сток-исток транзистора 20pF = 150pF )
и на рассеивание тепла на шунтирующем ресисторе (ориентировочно 300 Ом).
Заряд конденсатора U*U*C/2 = 1700*1700*150*E-12/2 = 0.00022 Дж.
Такая энергия, накопленная в катушке (индуктивностью ориентировочно 300 микрогенри), будет при токе SQRT(0.00022*2/(300*E-6)) = 1,2A
Остальная энеогия - на нагрев шунтирующего резистора I=U/R = 1700/300 = 5.6A
Суммарно ток в катушке 1,2+5,6 = 6,8A , что выше допустимого тока данного транзистора -
Вадим наверное это хочет сказать?

Есть более подходящие транзисторы (IMHO) - например C2M0280120 1200V , 10A
Для данного транзистора :
заряд конденсатора U*U*C/2 = 1200*1200*180*E-12/2 = 0.00013 Дж.
Такая энергия, накопленная в катушке, будет при токе SQRT(0.00013*2/(300*E-6)) = 0.9A
Остальная энеогия - на нагрев шунтирующего резистора I=U/R = 1200/300 = 4A
Суммарно ток в катушке 0.9 + 4 = 4.9A
Вот сам подумываю заказать пару таких транзисторов для экспериментов...

А расчеты эти мои правильные, или, может, я чего-то не учел?
Автор:  Вадим [ Вт: 20 ноя 2018 21:48 ]
Заголовок сообщения:  Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
alex---1967 писал(а):
наверное это хочет сказать?
Так я и сказал : человек раз за разом делает ошибки в оценке рабочих параметров, потом из ошибочных цифр делает авральные выводы и покупает "супердетали". На самом деле проблем в том виде, как сказано, их нет.
alex---1967 писал(а):
Вот сам подумываю заказать пару таких транзисторов для экспериментов...
Так а зачем, для какой цели?
Автор:  Вадим [ Вт: 20 ноя 2018 21:51 ]
Заголовок сообщения:  Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
alex---1967 писал(а):
...
А расчеты эти мои правильные, или, может, я чего-то не учел?

По приведённым зависимостям можно делать только оценку экстремальных значений и понять физику процесса, какие факторы на что влияют. В реальности сказываются параметры, которые проще или промоделировать, или смакетировать и померить.
Автор:  kompir [ Чт: 09 май 2019 12:30 ]
Заголовок сообщения:  Re: Карбид-кремневый высоковольтный транзистор для pi
Генератор полсинуса,двухполярньiй-двухрезонансньiй.Пока только в симуляторе.
Страница 2 из 2 Часовой пояс: UTC + 3 часа
Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group
http://www.phpbb.com/